真空离子镀膜技术(简称离子镀)是由美国Sandin公司的D.M.Mottox开发的将真空蒸发和真空溅射相结合的一种新镀膜技术。

　　离子镀技术的一个重要特征是在基片上施加负偏压，用来加速离子，增加调节能量。

　　负偏压的供电方式，除传统的可调直流偏压外，近年来，又引入了高频脉冲偏压技术。脉冲的频率、幅值、占空比可调，有单极脉冲，也有双极脉冲。

　　这样可使偏压和基片温度参数分别控制。

　　在基体上施加偏压，可产生更大的电场力，使等离子体中部分正离子加速到达基片上轰击和沉积。

　　即利用气体放电产生等离子体，通过碰撞电离，除部分工作气体电离外，使膜材原子也部分电离，同时在基片上加负偏压，可对工作气体和膜材的电离离子加速增加能量，且吸引它们到达基片;一边轰击基片，一边沉积，这对膜的品质、性能均有较大改善。这是离子镀技术最突出的特点。

　　离子镀与蒸发镀、溅射镀的本质区别是前者在基片上施加负偏压，后者在基片上未加负偏压。

　　因此，在前面讲述过的各种蒸发镀、溅射镀技术中，若能在基片(导电基材)上施加一定幅值的直流或脉冲负偏压，便可使其变成蒸发离子镀、溅射离子镀，统称离子镀。

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