通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面，称为蒸发镀膜。

　　此方法最早由英国物理学家M.法拉第于1857年提出，现代已成为常用镀膜技术之一。

　　蒸发物质如金属、化合物等置于坩埚内或挂在热丝上作为蒸发源，待镀工件，如金属、陶瓷、塑料等基片置于坩埚前方。待系统抽至高真空后，加热坩埚使其中的物质蒸发。

　　蒸发物质的原子或分子以冷凝方式沉积在基片表面。薄膜厚度可由数百埃至数微米。

　　膜厚决定于蒸发源的蒸发速率和时间(或决定于装料量)，并与源和基片的距离有关。对于大面积镀膜，常采用旋转基片或多蒸发源的方式以保证膜层厚度的均匀性。

　　从蒸发源到基片的距离应小于蒸气分子在残余气体中的平均自由程，以免蒸气分子与残气分子碰撞引起化学作用。

　　蒸气分子平均动能约为0.1～0.2电子伏。

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